sic mosfet結構
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SiC MOSFET结构及特性
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平面SiC MOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构的中间，N区夹在两个P区域之间，当电流 ...
SiC MOSFET结构及特性
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SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好 ...
SiC功率晶體的設計發展及驅動電壓限制
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這兩種不同型式的結構差異不僅僅在於閘極是否以內嵌的型式製造而成，更主要的差異在於功率晶體的通道是以不同的SiC晶格平面製成。矽材料是由純的矽所組成 ...
以高性能SiC MOSFET設計電力電子
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SiC MOS結構表明，在特定電場條件下，由於障壁(barrier)高度較小，相較於矽元件，Fowler-Nordheim注入電流更高；因此，介面的SiC側電場必須受到限制。
何謂SiC
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這款採用雙溝槽結構的SiC-MOSFET，與正在量產中的第2代平面型（DMOS結構）SiC-MOSFET相比，導通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。
几种常见的沟槽结构SiC MOSFET类型
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总结：这些结构核心就是在栅极沟槽底部或栅极沟槽底部附近区域，增加P型结构，形成耗尽层（空间电荷区），从而，把栅极沟槽底部氧化层电场，部分转移到耗 ...
功率電晶體的結構與特長比較| SiC
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使用的製程技術不同結構也不同，因而電氣特長也不同。補充說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻， ...
從原理到實例：詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率
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首先要清楚瞭解相關技術和術語：採用SiC架構的FET是MOSFET，就像之前的矽晶片一樣。從廣義上講，其內部物理結構相似，二者均為三端元件，具有源極、汲極和閘極連接。
溝槽結構SiC
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这款采用双沟槽结构的碳化硅MOSFET，与正在量产中的第2代平面型（DMOS结构）的SiC-MOSFET相比，导通电阻降低约50％，输入电容降低约35％。